CVD원리1 [반도체]박막증착공정 기본: CVD(Chemical Vapor Deposition) 1. CVD 개념 Chemical Vapor Deposition의 줄임말로 화학기상증착법이라고도 불림 가스의 화학 반응으로 형성된 입자들을 외부 에너지 부여된 수증기 형태로 쏘아 증착하는 방식 가장 오래된 반도체 공정 중 하나임 (1) CVD 장점 PVD보다 표면접착력이 10배 높음 대부분의 표면에 적용가능하므로 활용도가 높음 도체, 부도체, 반도체 박막증착에 모두 사용가능 불순물의 분포와 농도조절 가능 반응 가스 선택가능 대량생산 가능 (2) CVD 단점 압력이 낮을수록 공정의 프로세싱 시간이 길어짐 고진공 상태에서 기체들의 반응속도를 유지하려면 웨이퍼 온도를 높여야하지만, 그러면 재료 선택이 까다로워짐 두께 조절 컨트롤하기 어려움 반응 변수가 많음 위험한 가스의 사용 2. CVD방식의 종류 열에너지 .. 2020. 4. 9. 이전 1 다음
