CVD3 [반도체]박막증착공정 심화: CVD 온도에 따른 증착률(Deposition Rate) 1. CVD kinetics CVD반응 단계에는 물질전달(mass transfer)단계와 표면반응(surface reaction)단계가 있다. 이때, 물질전달단계에서는 그림1과 같이 F1만큼 기판쪽으로 가스전달이 일어나난다. 표면반응단계에서는 F2만큼 기판표면에서 화학반응이 일어나 막이 형성된다. 식으로 표현하면 다음과 같다. 여기서, F1과 F2가 같다는 조건에서 다음과 같이 식을 정리할 수 있다. 2. 막 증착 속도의 온도 의존성 (1) 저온 증착 저온에서 증착시, 기판에서 화학적반응이 거의 일어나지 않기 때문에 아래와 같은 조건이 성립된다. 위식의 조건에서 식을 다시 정리하면 다음과 같은 식이 적용된다. 결국 온도T가 바뀌면 GR값이 바뀌기 때문에 온도에 대해 크게 영향을 받는다. (2) 고온 증착.. 2020. 4. 9. [반도체]박막증착공정 기본: CVD(Chemical Vapor Deposition) 1. CVD 개념 Chemical Vapor Deposition의 줄임말로 화학기상증착법이라고도 불림 가스의 화학 반응으로 형성된 입자들을 외부 에너지 부여된 수증기 형태로 쏘아 증착하는 방식 가장 오래된 반도체 공정 중 하나임 (1) CVD 장점 PVD보다 표면접착력이 10배 높음 대부분의 표면에 적용가능하므로 활용도가 높음 도체, 부도체, 반도체 박막증착에 모두 사용가능 불순물의 분포와 농도조절 가능 반응 가스 선택가능 대량생산 가능 (2) CVD 단점 압력이 낮을수록 공정의 프로세싱 시간이 길어짐 고진공 상태에서 기체들의 반응속도를 유지하려면 웨이퍼 온도를 높여야하지만, 그러면 재료 선택이 까다로워짐 두께 조절 컨트롤하기 어려움 반응 변수가 많음 위험한 가스의 사용 2. CVD방식의 종류 열에너지 .. 2020. 4. 9. [반도체]박막증착공정 기본: ALD(Atomic layer deposition)증착 기술 1. CVD, PVD, ALD CVD는 Chmical Vapor Deposition의 약자로, 화학적 증착방식을 말한다. PVD보다 빨리 나온 방법으로 화학적으로 막을 성장시키는 방식이다. PVD는 Physical Vapor Deposition의 약자로, 물리적 증착방식이다. 보통 열증착이나 플라즈마 증착방식으로 막을 형성시킨다. CVD, PVD의 공통점은 박막을 만들 때 두께가 단단위 나노미터로 얇게 하는데 한계가 있다는 점이다. ALD는 Atomic Layer Deposition의 약자로, 원자급 레이어를 형성할 수 있는 증착기술을 뜻한다. 원자층을 한층한층 쌓아올려 막을 형성하는 적층방식이기 때문에 나노미터급의 아주얇은 박막을 형성할 수 있다. 2.1 ALD 기본원리 1) 흡착단계 : 1차 소스(전.. 2020. 4. 8. 이전 1 다음
