반도체기술1 [반도체]박막증착공정 기본: ALD(Atomic layer deposition)증착 기술 1. CVD, PVD, ALD CVD는 Chmical Vapor Deposition의 약자로, 화학적 증착방식을 말한다. PVD보다 빨리 나온 방법으로 화학적으로 막을 성장시키는 방식이다. PVD는 Physical Vapor Deposition의 약자로, 물리적 증착방식이다. 보통 열증착이나 플라즈마 증착방식으로 막을 형성시킨다. CVD, PVD의 공통점은 박막을 만들 때 두께가 단단위 나노미터로 얇게 하는데 한계가 있다는 점이다. ALD는 Atomic Layer Deposition의 약자로, 원자급 레이어를 형성할 수 있는 증착기술을 뜻한다. 원자층을 한층한층 쌓아올려 막을 형성하는 적층방식이기 때문에 나노미터급의 아주얇은 박막을 형성할 수 있다. 2.1 ALD 기본원리 1) 흡착단계 : 1차 소스(전.. 2020. 4. 8. 이전 1 다음
